| IP명 | TFET의 소자 특성과 회로 특성에 대한 연구 | ||
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| Category | Analog | Application | - |
| 실설계면적 | 5㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | 동작속도 | 1MHz | |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS350-1502 |
| IP개요 | 본 연구에서는 최근 고에너지 효율 신개념 반도체 소자로 가장 큰 주목받고 있는 TFET에 관한 연구를 수행하고자 한다. 단일 소자, 필수적인 디지털 회로(인버터, 낸드 게이트, 노어 게이트),아날로그 회로(CS, CG, CD amplifier) 같은 항목들을 포함하고 있다. |
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- 레이아웃 사진 -
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