| IP명 | RF 선형 전력 증폭기의 효율 개선을 위한 Bias Modulator | ||
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| Category | Analog | Application | Mobile Application |
| 실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 5GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1503 |
| IP개요 | 현재의 무선 통신을 지원하기 위한 고주파 회로 역시 기존 기술에 비하여 점점 더 발전된 기술의 개발이 요구되고 있는 가운데, 기존의 화합물 반도체로 설계된 전력증폭기의 단가 절감을 위한 CMOS 기반의 전력 증폭기가 많이 설계되고 있다. 그런 전력 증폭기의 효율을 개선시켜주기 위하여 Biase Modulator를 설계하였고, 더 향상된 PAE를 얻는 전력증폭기의 결과를 확인하였다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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