| IP명 | sub-threshold MOSFET 동작을 이용한 저전력 전류모드 신호처리 회로 설계 | ||
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| Category | Analog | Application | Battery |
| 실설계면적 | 2.5㎛ X 3㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 1MHz |
| 검증단계 | Simulation | 참여공정 | MS350-1501 |
| IP개요 | 전류모드 신호처리 회로동작의 저전력화를 위해서는 회로의 전원전압을 문턱전압 이하인 sub-threshold 영역의 전압으로 공급함으로써 회로 전체의 소비전력을 최소화시킬 수 있다. 즉, 고속/저속의 동작에서 거의 일정한 전력을 나타내는 전류모드 신호처리 회로 시스템을 sub-threshold 영역의 전원으로 인가함으로써 저전력 전류모드 신호처리 회로동작을 구현한다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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