| IP명 | Temperature에 따른 Memory cell 특성 보정을 위한 Temperature sensor 회로개발 | ||
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| Category | Mixed | Application | Flash memory |
| 실설계면적 | 5㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 20MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS350-1402 |
| IP개요 | Flash memory의 Temperature에 따른 Memory cell 특성 보정을 위한 Temperature sensor 회로를 개발하여 Temperature에 따른 특성을 보정한다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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