| IP명 | High Precision Charge Pump | ||
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| Category | Analog | Application | PLL |
| 실설계면적 | 4㎛ X 3㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 300MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS350-1402 |
| IP개요 | 본 연구를 통해 RF (radio frequency) module의 필수 building block인 phase-locked loop (PLL)에서 가장 중요한 block중의 하나인 고성능 charge pump를 제작하고자 한다. 이렇게 제작된 charge pump는 넓은 출력 전압 range에서 전류 복사비를 일정하게 유지함으로써 RF module에서 up/down current mismatch에 의해 유발되는 reference spur를 극적으로 줄일 수 있을 것으로 예상된다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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