| IP명 | High uniformity 0.5 electron readout noise CMOS image sensor with pixel-level amplification | ||
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| Category | Analog | Application | IMAGE SENSOR |
| 실설계면적 | 2.35㎛ X 2.35㎛ | 공급 전압 | 3.3/1.5V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 60Hz |
| 검증단계 | Simulation | 참여공정 | TJC180-1402 |
| IP개요 | 제안하는 회로는 Pixel-level open-loop voltage amplifier를 사용하면서 sub-electron readout noise를 가지고, calibration circuit을 추가하여 uniformity를 개선한 CMOS Image Sensor이다. |
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- 레이아웃 사진 -
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