| IP명 | 고용량 NAND Flash 메모리 솔루션에서의 임피던스 보정을 위한 레퍼런스 전압 기반 고속 임피던스 보정 회로 설계 | ||
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| Category | Mixed | Application | Memory IP |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 1GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS28-2402 |
| IP개요 | 본 설계회로설명서에서는 28nm LPP 공정을 활용하여 고용량 메모리 솔루션 (High Density Memory Solution)에서 다중 다이 (Multi-Die) 접합에 의한 ZQ 노드의 로드 증가 영향에 대해 무관하게 빠른 임피던스 보정 동작이 가능한 레퍼런스 전압 (Reference Voltage) 기반의 임피던스 보정 (ZQ Calibration) 회로를 제안하고자 한다. 레퍼런스 전압 기반의 임피던스 보정회로는 ZQ 노드를 바라보며 ZQ 드라이버 코드를 피드백 하는 ZQ 루프 형성의 일반적인 임피던스 보정 기법과는 달리, 레퍼런스 전압 노드를 바라보고 레퍼런스 전압 코드를 피드백 하는 레퍼런스 전압 루프를 형성하고, 피드백 루프에서 생성된 레퍼런스 코드를 연산하여 최종 ZQ 드라이버 코드를 생성함으로써 고용량 솔루션의 다중 다이 접합으로 의한 ZQ 노드의 로드증가 영향없이 보정 동작을 수행할 수 있도록 하며, 고속의 클럭 주파수를 코드 연산에 사용 가능하여 총 보정 시간을 단축한다. |
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- 레이아웃 사진 -
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