| IP명 | Design of 16Kb 4T 1C Gain Cell eDRAM-based Digital PIM Macro Supporting Dual Operation with Low Power Adder | ||
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| Category | Analog | Application | Memory |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.8V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 250MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS28-2402 |
| IP개요 | 폰노이만 구조가 가지는 bottleneck 문제를 해결하기 위해 다양한 CIM 구조가 제안되고 있다. 우리는 그 중에서도 하나의 4T1C eDRAM cell 안에서 AND, XNOR 두가지의 연산이 모두 구현되는 CIM을 제안했다. 이로 인해 부가적인 연산 장치없이도 하나의 CIM에서 다양한 연산모드가 구현되는 효과를 얻을 수 있다. | ||
- 레이아웃 사진 -
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