| IP명 | Monolithic-3D (M3D) Tunnel FET (TFET) Synapse Nanoelectromechanical (NEM) Neuron Hybrid Neuromorphic Circuits | ||
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| Category | Mixed | Application | RF/Analog |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.2V |
| IP유형 | 동작속도 | 5GHz | |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SF28-2401 |
| IP개요 | 초저전력 반도체 소자 (터널링 트랜지스터/나노전기기계소자) 기반 회로, 어레이 설계. 초저전력 동작을 기반으로 한 뉴로모픽, 인공지능 소자 및 회로 설계. |
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- 레이아웃 사진 -
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