| IP명 | A Ka-band Pseudo Doherty-Load Modulated Balanced Amplifier for advanced modulation scheme. | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | Wireless communication |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1V |
| IP유형 | 동작속도 | 30GHz | |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS28-2401 |
| IP개요 | 28 nm CMOS 공정을 이용하여 제작하고자 하는 RF 전력증폭기를 본 제안서를 통해 소개한다. 해당 전력 증폭기는 5G (28 GHz) 또는 30 GHz 대역에서 동작한다. 제안하는 5G 대역 전력 증폭기는 본 연구실에서 65 nm 공정을 사용하여 기설계되었으나, 65 nm 공정을 사용하여서는 원하는 경쟁력 있는 성능이 나오지 않는다. 따라서 28 nm 공정을 사용하여 더 우수하고 경쟁력을 가지는 전력 증폭기를 설계하고자 하였다 | ||
- 레이아웃 사진 -
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