| IP명 | Residue 전압 병렬 생성 기법 및 Time-domain 신호처리를 활용한 단일 슬라이스 고속 ADC 설계 | ||
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| Category | Mixed | Application | 고속 통신 |
| 실설계면적 | 2.1㎛ X 1㎛ | 공급 전압 | 0.9V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 4GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | HM-2401 |
| IP개요 | 본 IP는 charge injection cell을 DAC으로 이용하여 동적 증폭기의 비선형성을 개선시키고,residue 전압을 병렬로 생성하여 고속 동작이 가능한 파이프라인 ADC가 구현되었다. 또한, time-domain 신호처리를 활용하여 4GHz를 타켓으로 하는 고속의 단일 슬라이스 ADC가 구현되었다. | ||
- 레이아웃 사진 -
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