| IP명 | 인공지능 뉴로모픽 컴퓨팅용 차세대 반도체 소자 및 설계 플랫폼 | ||
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| Category | Analog | Application | Analog (spiking neuron & ADC) and Digital (Ternary logic) |
| 실설계면적 | 2㎛ X 2㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 100Hz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | HM-2304 |
| IP개요 | 본 설계는 단일 트랜지스터 기반 발진기 (single transistor-based oscillator; 1T-O)를 활용하여 뉴로모픽 반도체로 활용이 가능한지 확인하기 위한 설계이다. 각 MOSFET의 dimension 조절로서 발진 동작을 제어할 수 있다. 1T-O의 진동현상을 활용한 스파이킹 인공 뉴런, 삼진 논리회로, 단일 트랜지스터 기반 실난수 발생기 등에 필요한 요소 설계 회로도 포함되어있다. 그중, 시냅스와 뉴런의 interface를 담당하는 edge detector를 포함한다. 검증은 각 뉴런, 시냅스, 그리고 실난수 발생기에 적합한 전압 또는 전류를 인가하여 동작을 측정을 진행한다. | ||
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