IP명 | Back-bias Voltage Generator | ||
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Category | Analog | Application | Memory |
실설계면적 | 2.5㎛ X 5㎛ | 공급 전압 | 0.85V |
IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 10MHz |
검증단계 | Silicon | 참여공정 | DB180-2201 |
IP개요 | The proposed circuit is back bias voltage generator for memory, and it is implemented in BCDMOS 180nm process. | ||
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