| IP명 | CMOS Power Amplifier with improved Eff in the Low Power | ||
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| Category | RF | Application | Power Amplifier |
| 실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 2.4 GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1403 |
| IP개요 | 현재 Si CMOS 공정을 이용한 PA에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 Fullly integrated 회로에서 사용되는 수동 소자들의 낮은 Quality factor 에 의한 문제들을 해결하기 위한 다양한 Inductor pattern들을 설계하였다. |
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- 레이아웃 사진 -
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