강의목표
본 강의에서는 simulation의 기본적인 구성과 수행 방법들을 알아보고, power device 에 필요한 simulation 환경들을 실습을 통한 지식을 습득하는 것을 목표로 합니다.
강의개요
- SiC MOSFET Simulation
- Layout 기반의 Termination Simulation
- UIS, Switching Simulation
참고사항
♦ 구성모 나노기술융합원 책임연구원님이 강사로 초청 되셨습니다
♦ 강의 장소, 강의제목 변경이 발생 할 수 있습니다. 강의 게시글을 자주 확인하시기 바랍니다.
♦ 본 강의는 대면 강의만 진행합니다. 또한 라이센스를 늘려 40명까지 증원 완료 하였습니다.
♦ 강의 3일, 2일, 1일 전에 안내 메일이 발송될 예정입니다. 해당 메일을 받은 신청자 께서는 정상 접수된 상태임을 인지 하시기 바랍니다.
♦ 해당강의는 대면 강의만 진행되는 점 참고 부탁드립니다.
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♦ 출석 100%, 퀴즈 3/5문제 통과시 수료증이 발급됩니다.
♦ 수강신청 기간 내에 홈페이지에서 수강 취소해야 정상 취소처리 됩니다.
♦ 1개 교육에 대해 전일 결석시, 추후 3개월간 수강신청이 자동차단됩니다. (취소는 홈페이지에서 직접 가능)
강좌상세
| 일자 |
2024-06-03 |
시간 |
09:00 ~ 12:00 |
강사 |
구성모 책임연구원 나노기술융합원 |
| 내용 |
○ SiC MOSFET 공정과 Simulation간 차이 |
| 일자 |
2024-06-03 |
시간 |
13:00 ~ 16:00 |
강사 |
구성모 책임연구원 나노기술융합원 |
| 내용 |
○ SiC MOSFET implant and diffusion
○ SiC MOSFET BV physics 이해
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| 일자 |
2024-06-03 |
시간 |
16:00 ~ 17:00 |
강사 |
구성모 책임연구원 나노기술융합원 |
| 내용 |
○ Termination design
○ Review the result of simulation |
| 일자 |
2024-06-04 |
시간 |
09:00 ~ 12:00 |
강사 |
구성모 책임연구원 나노융합기술원 |
| 내용 |
○ICWB 문법이해
○SDE |
| 일자 |
2024-06-04 |
시간 |
13:00 ~ 16:00 |
강사 |
구성모 책임연구원 나노융합기술원 |
| 내용 |
○ Extract doping profile method in SiC MOSFET
○ Paste structure method in SiC MOSFET
○ Corner simulation(3D) in SiC MOSFET
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| 일자 |
2024-06-04 |
시간 |
16:00 ~ 17:00 |
강사 |
구성모 책임연구원 나노융합기술원 |
| 내용 |
○ Review the result of simulation |
강의장소
6공학관 6309-1호
담당자 연락처
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