강의목표
반도체분야를 전공하거나 관심을 갖고 있는 학부생, 대학원생, 산업체 관련 분야의 실무자 및 연구개발자들에게 광범위한 반도체기술의 핵심인 MOSFET 소자의 구조와 동작 원리를 정확히 이해할 수 있는 기회를 제공함
강의개요
MOSFET 소자의 구조와 동작 원리, 주요 성능 지표들의 정의와 의미를 이해하고, 이를 토대로 반도체소자의 미세화가 이루어지면서 발생하는 비이상적인 동작 특성들의 종류와 원인을 분석한다. 세계반도체기술로드맵 (IRDS)을 중심으로 최신기술동향을 파악하고, 집적회로에서 요구되는 MOSFET의 성능 요건과 설계 및 집적공정 시의 고려사항들을 살펴본다.
참고사항
♦ (!중요!) 대면 강의는 점심 식사가 제공됩니다. 부득이하게 참석이 불가능할시 반드시 신청기한 내에 수강취소 부탁드립니다.
♦ (!중요!) 강의안내(zoom url 포함)는 강의 1일전 메일로 안내되고 있으니, 메일함(스팸메일함)을 확인하여 주시기 바랍니다.
♦ (!중요!) 재직자 우선 신청 강의입니다. 비재직자 신청은 강의 7일전~4일전 (7.25 ~ 7.28) 에 가능합니다.
♦ 출석 100%, 퀴즈 3/5문제 통과시 수료증이 발급됩니다.
♦ 수강신청 기간 내에 홈페이지에서 수강 취소해야 정상 취소처리 됩니다.
♦ 1개 교육에 대해 전일 결석시, 추후 3개월간 수강신청이 자동차단됩니다. (취소는 홈페이지에서 직접 가능)
강좌상세
| 일자 |
2024-08-01 |
시간 |
10:00 ~ 12:00 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[물리전자의 기초]
○ 고체의 격자구조와 반도체의 결정성
○ 빛과 물질의 이중성, 파수, 슈레딩거 방정식
○ E-k 다이어그램과 에너지밴드 다이어그램의 이해
○ 전류 형성의 메커니즘: 표동과 확산
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| 일자 |
2024-08-01 |
시간 |
13:00 ~ 14:30 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[pn 접합 다이오드]
○ 에너지밴드 다이어그램에 표현되는 물성 및 공정 파라미터
○ 접합의 종류와 에너지밴드 다이어그램 그리는 방법
○ pn 접합 다이오드의 정전기적 해석과 등가회로 |
| 일자 |
2024-08-01 |
시간 |
14:30 ~ 16:30 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[MOS 커패시터]
○ MOSCAP의 구조와 게이트 전압에 따른 상태 변화
○ MOSCAP의 C-V 특성 및 주파수 의존성
○ 문턱 전압의 정의: 물리적 정의/해석적 정의와 결정 변수
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| 일자 |
2024-08-01 |
시간 |
16:30 ~ 18:00 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[MOSFET]
○ MOSFET의 구조와 동작 원리: 전달 및 출력특성의 이해
○ 소자 동작과 회로 동작 관점에서의 문턱 전압의 차이
○ 짧은 채널 효과: 전하 공유와 문턱 전압 강하, DIBL(고체의 정전기적 비유연성), GIDL, 탄도 전송 및 표동 속도 오버슛
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| 일자 |
2024-08-02 |
시간 |
10:00 ~ 12:00 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[반도체기술의 역사]
○ 컴퓨터의 역사
○ 반도체소자 및 집적공정기술의 역사
○ 세계반도체기술지도(IRDS)로 살펴보는 반도체기술의 흐름
○ 저전력 동작과 고성능 동작의 차이
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| 일자 |
2024-08-02 |
시간 |
13:00 ~ 14:30 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[현재의 반도체소자 기술]
○ ERD(Emerging Research Devices)의 중요성과 소자 개발: SOI MOSFET, double-gate MOSFET, tri-gate MOSFET
○ 최신 공정 기술: HKMG 기술 및 strained channel 기술
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| 일자 |
2024-08-02 |
시간 |
14:30 ~ 16:30 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[현재의 반도체소자 기술]
○ 서브 10 nm 기술 노드를 위한 MOSFET 소자 기술: 나노와이어 MOSFET 및 GAA(gate-all-around) MOSFET 기술
○ MBC(multi-bridge channel) FET와 다중 채널 구조의 필요성
○ 새로운 메커니즘 기반의 MOSFET 소자 기술
○ 표동-확산 메커니즘의 중요성: 도면 레벨에서의 성능 예측
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| 일자 |
2024-08-02 |
시간 |
16:30 ~ 18:00 |
강사 |
조성재 부교수 이화여자대학교 |
| 내용 |
[MOSFET 소자의 응용과 기술 방향]
○ 아날로그 및 디지털 집적회로에서의 MOSFET 소자 요건
○ 차세대 MOSFET과 ERM(Emerging Research Materials)
○ foundry와 기술 노드 선점 경쟁의 배경: 인공지능과 반도체
○ 환경과 에너지 위기 극복을 위한 반도체기술의 방향성
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강의장소
고려대 IDEC 아카데미 강의실 (창의관 B128호)
담당자 연락처
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