강의목표
본 강의에서는 simulation 의 기본적인 구성과 수행 방법들을 알아보고, power device 에 필요한 simulation 환경들을 실습을 통한 지식을 습득하는 것을 목표로 합니다.
Layout 기반의 4H-SiC Power MOSFET Sentaurus TCAD 시뮬레이션을 수행할 수 있는 방법을 안내할 예정입니다. 라이선스 확보에 어려움이 있으므로, 현장에서 참석 가능한 소수의 재직자를 중심으로 강의가 진행될 예정 입니다. SiC NMOS 소자를 개발 하실 수 있도록 input 을 제공 해드리고 그 것을 활용하여 개발 까지 하실 수 있게 하는게 목적입니다. 강의 수료 문제 이외에 강의 둘째 날 시뮬레이션 결과물을 발표하는 시간을 가질 예정입니다.
강의개요
- Process Simulation (실습: SiC NMOS)
- Device Simulation (실습: SiC NMOS Vth, Ron, BVDSS)
- Layout 기반의 Simulation 환경 (실습: SiC NMOS)
- UIS, Switching Simulation
참고사항
♦ 구성모 트리노테크놀로지 부장님이 강사로 초청 되셨습니다
♦ 강의 장소 변경이 발생 할 수 있습니다. 강의 게시글을 자주 확인하시기 바랍니다.
♦ 11월 6일과 11월 7일 강의 장소가 다르기 때문에 인지 하시기 바랍니다.
♦ 강의 3일, 2일, 1일 전에 안내 메일이 발송될 예정입니다. 해당 메일을 받은 신청자 께서는 정상 접수된 상태임을 인지 하시기 바랍니다.
♦ 재직자만 대면 현장 참여 및 TCAD 라이선스 실습 지원이 됩니다.
♦ 일반인 및 학부생은 온라인만 수강이 가능하며 수업 목표 및 취지가 실습 및 실무 적용인 만큼 수업 내용또한 이에 맞춰 진행될 예정입니다.이를 감안하여 신청하시기 바랍니다.
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♦ 출석 100%, 퀴즈 3/5문제 통과시 수료증이 발급됩니다.
♦ 수강신청 기간 내에 홈페이지에서 수강 취소해야 정상 취소처리 됩니다.
♦ 1개 교육에 대해 전일 결석시, 추후 3개월간 수강신청이 자동차단됩니다. (취소는 홈페이지에서 직접 가능)
강좌상세
| 일자 |
2023-11-06 |
시간 |
09:00 ~ 12:00 |
강사 |
구성모 부장 트리노테크놀로지 |
| 내용 |
○ SiC NMOS Process Simulation |
| 일자 |
2023-11-06 |
시간 |
13:00 ~ 16:00 |
강사 |
구성모 부장 트리노테크놀로지 |
| 내용 |
○ SiC NMOS Device Simulation I
○ SiC NMOS Device Simulation II |
| 일자 |
2023-11-06 |
시간 |
16:00 ~ 17:00 |
강사 |
구성모 부장 트리노테크놀로지 |
| 내용 |
○ Review the result of simulation |
| 일자 |
2023-11-07 |
시간 |
10:00 ~ 12:00 |
강사 |
구성모 부장 트리노테크놀로지 |
| 내용 |
○ Layout 기반의 simulation 환경 구성 |
| 일자 |
2023-11-07 |
시간 |
13:00 ~ 16:00 |
강사 |
구성모 부장 트리노테크놀로지 |
| 내용 |
○ Circuit Simulation I
○ Circuit Simulation II |
| 일자 |
2023-11-07 |
시간 |
16:00 ~ 17:00 |
강사 |
구성모 부장 트리노테크놀로지 |
| 내용 |
○ Review the result of simulation |
강의장소
11월 6일: 10공학관 10120호
11월 7일: 6공학관 6309-1호
담당자 연락처
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