반도체설계교육센터

캠퍼스

본센터

구분

설계강좌 / Analog / 중급 / 이론

마감

강의제목

최신 비휘발성 메모리의 구조 및 동작 원리 이해

강의일자

2019-09-26 ~ 2019-09-27

신청 및 취소기간

2019-09-03 00:00 ~ 2019-09-24 23:59

강의형태

대면

신청현황

60/80명

수강료(일반)

무료

수강료(학생)

무료

수강대상

반도체 메모리 기술에 관심이 있는 학부 4학년, 관련 연구 개발을 시작하고자 하는 대학원생 및 산업체 엔지니어/연구원

사전지식
선수과목

반도체소자(권장)

강의목표

대학 학부 과정에서는 반도체 메모리 관련 강의가 마련되어 있지 않은 경우가 많아, 이를 공부해보고자 하는 학부생들, 관련 분야 연구 및 개발을 시작하고자 하는 대학원생 및 실무자들에게 필수적인 지식을 제공한다.

강의개요

ROM과 RAM의 이해를 시작으로 ITRS 기술 노드를 견인해온 DRAM, NAND 플래시 메모리 기술의 핵심 내용들을 이해한다. 이후 RRAM, PRAM, MRAM 등 post-NAND를 지향하는 차세대 비휘발성 메모리 기술을 중심으로 소자 및 어레이 구조, 동작 원리, 기술 동향 등을 강의한다.

참고사항

♦ 출석 100%, 퀴즈 3/5문제 통과시 수료증이 발급됩니다.
♦ 수강신청 기간 내에 홈페이지에서 수강 취소해야 정상 취소처리 됩니다.
♦ 1개 교육에 대해 전일 결석시, 추후 3개월간 수강신청이 자동차단됩니다. (취소는 홈페이지에서 직접 가능)

강좌상세

일자	2019-09-26	시간	09:00 ~ 12:00	강사	조성재 교수 가천대
내용	○ 반도체 메모리 및 비메모리 기술 ○ 컴퓨터 구조와 속도/용량에 따른 메모리 기능 분화 ○ E-k 다이어그램 및 에너지밴드 다이어그램의 이해 ○ pn 다이오드 및 MOSFET 동작 ○ 반도체 메모리의 동작 원리(전하 기반 및 저항 기반) ○ ROM(read-only memory)과 RAM(random-access memory) ○ 휘발성 및 비휘발성 메모리의 개념 ○ array, peripheral circuit, address, wordline, bitline의 개념

일자	2019-09-26	시간	13:00 ~ 17:00	강사	조성재 교수 가천대
내용	○ SRAM(static random-access memory)의 구조와 동작 원리 ○ DRAM(dynamic random-access memory)의 구조와 동작 원리 ○ 최신 기술 동향(CPU향 embedded DRAM/SRAM 기술) ○ 비휘발성 메모리기술 I: 플래시 메모리 - NAND 및 NOR 플래시 메모리 소자 구조와 동작 원리 - 초고집적화에 따른 기술 이슈들 ○ 최신 기술 동향(material, multi-bit & multi-level cell, array)

일자	2019-09-27	시간	09:00 ~ 12:00	강사	조성재 교수 가천대
내용	○ 비휘발성 메모리기술 II: 뉴메모리 - Resistive-switching random-access memory (RRAM) - Phase-change random-access memory (PRAM) - Magnetic random-access memory (MRAM) ○ 최신 기술 동향(material, device, and array architecture) ○ 최신 기술 동향(4차 산업혁명과 반도체 메모리 기술)

강의장소

KAIST N26동 1층 IDEC 강당

담당자 연락처

본센터 담당자 : 전우숙
연락처 : 042-350-4424
이메일 : mayj@kaist.ac.kr

마감

로그인 후 신청 가능합니다.