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IP명 DRAM sense amplifier개발 및 array 수준의 동작 확인
Category Analog Application memory
실설계면적 5㎛ X 5㎛ 공급 전압 5V
IP유형 Hard IP 동작속도 10MHz
검증단계 Silicon 참여공정 DB180-2401
IP개요 는 최근 정보의 집적도의 증가로 인해 기존 컴퓨팅 방식인 Von Neumann구조에서 bottleneck
문제가 발생하여서 CPU와 memory사이의 데이터 전송율이 낮아지는 현상이 존재한다. 따라서 DRAM request의 병렬화를 통해 대기시간을 줄여 빠른 정보처리를 할 수 있는 방식에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
- 레이아웃 사진 -